等林本建出來，三人邊吃邊聊，衛向東正式向林本建發出邀請，希望他到大陸繼續研究紫外光（EUV）光刻，將來在眾芯科技專門成立一個部門由他負責，同樣可以給予眾芯科技的股份。

“林先生，如果你還有什麼要求，我們都可以談。”衛向東的態度很誠懇。

林本建沉默了下開口說道：“衛先生，或許你不清楚，研發13.4奈米的極紫外光（EUV）遙不可及而且耗費巨大，現在光刻機還卡在193奈米這個這個階段。”

“我知道，極紫外光（EUV）是光刻機發展的未來，而193奈米這道坎終將會被邁過。”衛向東笑回答道。

林本建聽了笑了起來：“衛先生，你是個局外人，竟然比我們這些局內人還充滿自信？”

“或許正是因為我是個局外人，所以和你看問題角度不同，光刻機停留在193奈米已經好幾年了吧？所謂厚積薄發該到突破的時候。不是有一種叫什麼浸潤式光刻嗎？我看那個法子就行。”衛向東說道。

“浸潤式光刻？衛先生你也認為浸潤式可行？！”林本建的聲音突然變得激動起來。

不是我認為行，是因為歷史最後證明這個法子行！

衛向東實在不明白這個林本建為何如此激動，旁邊的張如京才告訴他，在80年代末期，林本建就提出隨著晶片精度越來越高，光刻機的精度最終會遇到瓶頸，可以用浸潤式原理解決這個問題。

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